RGT50TM65D
5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 25A, eingebaute FRD, TO-220NFM, Feldstopp-Trench-IGBT

Der RGT50TM65D ist ein Fieldstop-Trench-IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, der für allgemeine Wechselrichter, USVs, Leistungskonditionierer und Schweißgeräte geeignet ist.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RGT50TM65DGC9
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-220NFM
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge |
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

13

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

65

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

47

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10x15 (t=4.7)

Eigenschaften:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5μs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant