RGWS00TS65D
650 V 50 A Field-Stop-Trench-IGBT, eingebaute FRD, TO-247GE, Hochgeschwindigkeits-Schalt-Typ

Der RGWS00TS65D ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, der für PFC, Solar-Wandler und Wandler mit mittlerer bis hoher Schaltfrequenz geeignet ist. Die RGWS-Serie zeichnet sich durch schnelle Schaltvorgänge aus, die zu einer höheren Effizienz der Anwendungen beitragen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RGWS00TS65DGC13
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-247GE
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 600
Minimale Gehäusemenge | 30
RoHS | Ja
Product Longevity Program | 9 Years

Spezifikationen:

Series

WS:High speed SW, cost effective

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

50

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.6

tf(Typ.) [ns]

38

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

245

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

15.94x20.95 (t=5.02)

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Eigenschaften:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • High Speed Switching
  • Low Switching Loss & Soft Switching
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
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