RGWS80TS65D
650 V 40 A Field-Stop-Trench-IGBT, eingebaute FRD, TO-247GE, Hochgeschwindigkeits-Schalt-Typ
RGWS80TS65D
RGWS80TS65D
650 V 40 A Field-Stop-Trench-IGBT, eingebaute FRD, TO-247GE, Hochgeschwindigkeits-Schalt-Typ
Der RGWS80TS65D ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, der für PFC, Solar-Wandler und Wandler mit mittlerer bis hoher Schaltfrequenz geeignet ist. Die RGWS-Serie zeichnet sich durch schnelle Schaltvorgänge aus, die zu einer höheren Effizienz der Anwendungen beitragen.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Series
WS:High speed SW, cost effective
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
40
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
40
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
202
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.94x20.95 (t=5.02)
Eigenschaften:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
