Feldstopp-Trench-IGBT

ROHM Parametric

ROHM Semiconductor bietet eine breite Palette an automobiltauglichen Field Stop Trench IGBTs und ermöglicht so die Auswahl des richtigen Produkts je nach den gestellten Anforderungen. Durch den Einsatz der einzigartigen Trench-Gate- und Thin-Wafer-Technologien werden niedrige V_CE(sat) mit reduziertem Schaltverlust erreicht.
Somit tragen sie zu höheren Wirkungsgraden und gesteigerten Energieeinsparungen bei einer Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstromanwendungen bei.

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Short Circuit Withstand Time/TCS (Min.)[µs]
High Low	0	2	5	8~10
	RGW, RGWS : 650V OBC, Totem-Pole PFC,Converter, UPS, Welding, PV Inverter, Current resonance(IH) AEC-Q101 Standard
		RGTV : 650V UPS, Welding,PV Inverter, Current resonance(IH) Standard
	RGTH : 650V High speed SW Standard		RGE : 650V Motor Drive, General Inverter Standard
	RGCL : 650V Partial PFC, Brake, Discharge Circuit Standard		RGT : 650V Motor Drive, General Inverter Standard	RGA : 1200V E-comp, Heater, Relay-circuit, OBC (For Rectification) AEC-Q101
	RGC : 1800V Voltage resonance (IH, Micro-wave) Standard			RGS : 650, 1200V RGS : 650,1200V E-comp, Heater, Relay-circuit, OBC (For Rectification) AEC-Q101

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RGW, RGWS : 650V

RGTV : 650V

RGTH : 650V

RGE : 650V

RGCL : 650V

RGT : 650V

RGA : 1200V

RGC : 1800V

RGS : 650, 1200V

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