SG6307WN (Neues Produkt)
650V 25A, IGBT-Chip (Bare Die)
SG6307WN
SG6307WN (Neues Produkt)
650V 25A, IGBT-Chip (Bare Die)
Anwendung: PFC, USV, Schweißen, Solarwechselrichter, IH
Für den Verkauf von Bare Die kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsbüro bezüglich der Spezifikationen. Derzeit verkaufen wir Bare Die nicht über Online-Händler.
Produktdetails
Teilenummer | SG6307WNAMU03
Status |
Empfohlen
Gehäuse |
Einheitenmenge | 0
Minimale Gehäusemenge | 0
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Series
W: High speed fast SW
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
25
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.5
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- Trench Light Punch Through Typ
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Schaltverluste und sanftes Schalten