RLD65PZX3
660 nm Laser mit niedriger Leistung

ROHMs Laser-Dioden mit 660 nm und niedrigem Verbrauch machen einen großen Marktanteil aus, was für ihre hohe Zuverlässigkeit spricht. Die große Bandbreite an Ausgängen entspricht ebenso ihrer Vielzahl an möglichen Anwendungen.

Produktdetails

 
Teilenummer | RLD65PZX3 (RLD65PZX3-00A for Sample)
Status | Empfohlen
Gehäuse | φ5.6mm CAN
Gehäusetyp | Tray
Einheitenmenge | 500
Minimale Gehäusemenge | 500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Application

Sensor, Barcode Scanner, Leveling, Ranging

Wave-length λ(Min.)[nm]

650

Wave-length λ(Typ.)[nm]

658

Wave-length λ(Max.)[nm]

666

Optical Output Po(Max.)[mW]

12

LD Reverse Voltage(Max.)[V]

2

PinPD Reverse Voltage(Max.)[V]

20

Optical Output Condition Po(Typ.)[mW]

10

Threshold Current Ith(Min.)[mA]

-

Threshold Current Ith(Typ.)[mA]

25

Threshold Current Ith(Max.)[mA]

35

Operating Current Iop(Min.)[mA]

-

Operating Current Iop(Typ.)[mA]

42

Operating Current Iop(Max.)[mA]

55

Operating Voltage Vop(Min.)[V]

-

Operating Voltage Vop(Typ.)[V]

2.3

Operating Voltage Vop(Max.)[V]

2.7

Output Efficiency η(Min.)[W/A]

0.4

Output Efficiency η(Typ.)[W/A]

0.6

Output Efficiency η(Max.)[W/A]

1

Monitor Current Im(Min.)[mA]

0.08

Monitor Current Im(Typ.)[mA]

0.2

Monitor Current Im(Max.)[mA]

0.5

Beam Divergence θ//(Min.)[deg]

6

Beam Divergence θ//(Typ.)[deg]

8.5

Beam Divergence θ//(Max.)[deg]

12

Beam Divergence θ⊥(Min.)[deg]

24

Beam Divergence θ⊥(Typ.)[deg]

28

Beam Divergence θ⊥(Max.)[deg]

34

Beam Tolerance ⊿θ//(Min.)[deg]

-3

Beam Tolerance ⊿θ//(Typ.)[deg]

0

Beam Tolerance ⊿θ//(Max.)[deg]

3

Beam Tolerance ⊿θ⊥(Min.)[deg]

-4

Beam Tolerance ⊿θ⊥(Typ.)[deg]

0

Beam Tolerance ⊿θ⊥(Max.)[deg]

4

Emission Point Accuracy ⊿XYZ(Min.)[µm]

-100

Emission Point Accuracy ⊿XYZ(Typ.)[µm]

0

Emission Point Accuracy ⊿XYZ(Max.)[µm]

100

Emission Point Distance(Typ.)[µm]

0

Polarity

P(LD Cathode / PD Anode)

Operating Temperature (Min.)[°C]

-10

Operating Temperature (Max.)[°C]

70

Package Size [mm]

φ5.6

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Eigenschaften:

・660nm Low output
・Industry standard diameterφ5.6 metal stem
・Higher ESD
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