BR24G16FVT-3
I²C BUS 16 kbit (2048x8 Bit), EEPROM

ROHM's serielle Hochleistungs-EEPROMs haben einen großen Marktanteil und sind in verschiedenen Kapazitäten, Busschnittstellen (Microwire, I²C, SPI), Betriebsspannungen (1,7 V bis 5,5 V, 1,8 V bis 5,5 V, 2,5 V bis 5,5 V, 3,0 V bis 3,6 V) und Gehäusearten verfügbar und dadurch ideal für akkubetriebene Geräte. Die gesamte Serie ist sowohl bleifrei als auch RoHS-konform.

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Produktdetails

 
Teilenummer | BR24G16FVT-3GE2
Status | Aktiv
Gehäuse | TSSOP-B8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

BR24G-3

Density [bit]

16K

Bit Format [Word x Bit]

2K x 8

Comment

Cu wire bonding.

Vcc(Min.)[V]

1.6

Vcc(Max.)[V]

5.5

Circuit Current (Max.)[mA]

2

Standby Current (Max.)[μA]

2

Write Cycle (Max.)[ms]

5

Input Frequency (Max.)[Hz]

400k

Endurance (Max.)[Cycle]

106

Data Retention (Max.)[Year]

40

I/F

I2C BUS(2-Wire)

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

85

Package Size [mm]

3x6.4 (t=1.2)

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Eigenschaften:

  • Completely conforming to the world standard I²C BUS.
    All controls available by 2 ports of serial clock(SCL) and serial data (SDA)
  • Other devices than EEPROM can be connected to the same port, saving microcontroller port
  • 1.6V to 5.5V Single Power Source Operation most suitable for battery use
  • 1.6V to 5.5V wide limit of operating voltage, possible FAST MODE 400kHz operation
  • Up to 16 Byte in Page Write Mode
  • Bit Format 2K x 8bit
  • Self-timed Programming Cycle
  • Low Current Consumption
  • Prevention of Write Mistake
    WP(Write Protect) Function added
    Prevention of Write Mistake at Low Voltage
  • More than 1 million write cycles
  • More than 40 years data retention
  • Noise filter built in SCL / SDA terminal
  • Initial delivery state FFh
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