BR93H46RF-2LB(H2)
Microwire-BUS 1 kbit (64x16 Bit), EEPROM
Für neue Designs nicht empfohlen
BR93H46RF-2LB(H2)
Microwire-BUS 1 kbit (64x16 Bit), EEPROM
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Spezifikationen:
Series
BR93H-2LB
Density [bit]
1K
Bit Format [Word x Bit]
64 x 16
Vcc(Min.)[V]
2.5
Vcc(Max.)[V]
5.5
Circuit Current (Max.)[mA]
3
Standby Current (Max.)[μA]
10
Write Cycle (Max.)[ms]
4
Input Frequency (Max.)[Hz]
2M
Endurance (Max.)[Cycle]
106
Data Retention (Max.)[Year]
100
I/F
MicroWire BUS(3-Wire)
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
5.0x6.2 (t=1.71)
Eigenschaften:
· Produkt mit Langzeit-Support für industrielle Anwendungen· Konform mit Microwire-Bus
· Widersteht elektrostatischer Spannung bis 6 kV (HBM-Methode [typisch])
· Großer Temperaturbereich von –40 ℃ bis +125 ℃ (–40 ℃ bis +85 ℃, –40 ℃ bis +105 ℃ in anderen Serien)
· Gleiche Gehäuselinie und gleiche Pin-Konfiguration
· Betrieb mit einem Netzteil bei 2,5 V bis 5,5 V Spannung
· Auto-Inkrement-Adressierung im Lesebetrieb
· Funktion zur Vermeidung von Schreibfehlern Schreibsperre bei Anschaltung Schreibsperre über Befehlscode Schaltung zur Vermeidung von Schreibfehlern bei niedriger Spannung
· Auto-Erase- und Auto-End-Funktion für den Programmierzyklus
· Anzeige des Programmzustands: READY/BUSY
· Niedrige Stromaufnahme Im Schreibbetrieb (bei 5 V): 0,8 mA (typisch) Im Lesebetrieb (bei 5 V): 0,5 mA (typisch) Im Standbybetrieb (bei 5 V): 0,1 µA (typisch) (CMOS-Eingang)
· Hohe Zuverlässigkeit dank Original-Doppelzellenstruktur von ROHM
· 20 Jahre Datenspeicherung (Ta = 125 ℃)
· Beständigkeit: bis zu 300.000 Zyklen (Ta = 125 ℃)
· Auslieferungszustand: alle Adressen FFFh
