AG089FLD3HRB (In Entwicklung)
N-Kanal 60 V 80 A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
AG089FLD3HRB (In Entwicklung)
N-Kanal 60 V 80 A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
Der AG089FLD3HRB ist ein AEC-Q101-qualifizierter MOSFET für die Automobilindustrie. Ideal für Automobilsysteme.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0033
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0025
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.0033
Total gate charge Qg[nC]
33
Power Dissipation (PD)[W]
142
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
55
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
10.0x6.6 (t=2.3)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- 100 % Lawinentest bestanden
- AEC-Q101 qualifiziert
