RD3G08BBKHRB (Neues Produkt)
N-Kanal 40 V, 80 A, TO-252 (DPAK), Power-MOSFET für Automotive-Anwendungen
RD3G08BBKHRB (Neues Produkt)
N-Kanal 40 V, 80 A, TO-252 (DPAK), Power-MOSFET für Automotive-Anwendungen
Der RD3G08BBKHRB ist ein Automotive-MOSFET, der AEC-Q101-qualifiziert ist. Ideal für ADAS, Info-, Beleuchtungs- und Karosserieanwendungen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0023
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.00168
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.0023
Total gate charge Qg[nC]
41
Power Dissipation (PD)[W]
142
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
70
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
10.0x6.6 (t=2.3)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Pb-freie Beschichtung, RoHS-konform
- 100 % Lawinen-getestet
- AEC-Q101 qualifiziert
