RV4L016SNHZG (Neues Produkt)
N-Kanal-60V-1,6A-Kleinsignal-MOSFET für Automotive
RV4L016SNHZG (Neues Produkt)
N-Kanal-60V-1,6A-Kleinsignal-MOSFET für Automotive
Der RV4L016SNHZG ist ein ultrakompakter MOSFET für die Automobilindustrie, der eine hervorragende Montagezuverlässigkeit bietet. Der RV4L016SNHZG verfügt über die für Fahrzeuganwendungen erforderliche Elektrodenhöhe an der Seite des Gehäuses (130 μm), die durch die Verwendung der originalen Wettable-Flank-Formationstechnologie erreicht wird. Das Ergebnis ist eine gleichmäßige Lötqualität – selbst bei Produkten mit unteren Elektroden – die es automatischen Inspektionsmaschinen ermöglicht, die Lötbedingungen nach der Montage leicht zu überprüfen. Dies ermöglicht eine stärkere Miniaturisierung in Automobilgeräten wie ADAS-Kameramodulen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN1616-6W
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.317
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.29
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.237
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.317
Total gate charge Qg[nC]
1.8
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.8)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Eingebaute G-S-Schutzdiode
- Bleifreies, ultrakleines und freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung in SMD-Kunststoffgehäuse (1,6×1,6×0,75 mm)
- 100 % UIS getestet.
- Seitlich benetzbare Flanken für die automatische optische Lötinspektion (AOI). Verzinnte, zu 100 % lötbare Seitenpads garantieren min. 130 μm
- AEC-Q101 qualifiziert.
