RV4L016SNHZG (Neues Produkt)
N-Kanal 60V 1.6A Kleinsignal-MOSFET für Automotive
RV4L016SNHZG (Neues Produkt)
N-Kanal 60V 1.6A Kleinsignal-MOSFET für Automotive
Der RV4L016SNHZG ist ein ultrakompakter MOSFET in Automobilqualität, der eine überragende Montagezuverlässigkeit bietet. Der RV4L016SNHZG weist die für Fahrzeuganwendungen erforderliche Elektrodenhöhe an der Seite des Gehäuses (130μm) auf, indem die originale Wettable Flank-Formungstechnologie genutzt wird. Das Ergebnis ist eine gleichbleibende Lötqualität – selbst bei Produkten mit Bodenelektrode – die es automatischen Inspektionsmaschinen ermöglicht, den Lötstatus nach der Montage einfach zu überprüfen. Dies ermöglicht eine größere Miniaturisierung in Automobilgeräten wie ADAS-Kameramodulen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN1616-6W
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.317
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.29
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.237
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.317
Total gate charge Qg[nC]
1.8
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.8)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Integrierte G-S-Schutzdiode
- Leitungsloses ultrakleines und freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeableitung, SMD-Kunststoffgehäuse (1,6 × 1,6 × 0,75 mm)
- 100 % UIS-getestet.
- Seitliche benetzbare Flanken für die automatische optische Lötprüfung (AOI), verzinnte, zu 100 % lötbare Seitenpads garantieren Min. 130 μm
- AEC-Q101 qualifiziert.
