AG501EPD3HRT (Neues Produkt)
P-Kanal, -100V, -65A, TO-252 (DPAK) Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
AG501EPD3HRT (Neues Produkt)
P-Kanal, -100V, -65A, TO-252 (DPAK) Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
Der AG501EPD3HRT ist ein Automotive-tauglicher P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der AEC-Q101-konform ist und eine Nennspannung von 100 V aufweist. Er ist für Automotive-Anwendungen geeignet. Das Bauteil ist in einem hochleistungsfähigen TO-252-Gehäuse untergebracht, das zu einer verbesserten Wärmeableitung beiträgt. Dieses Gehäusedesign unterstützt ein effizientes Wärmemanagement in Automotive-Leistungsanwendungen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-100
Drain Current ID[A]
-65
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.027
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.025
Total gate charge Qg[nC]
69
Power Dissipation (PD)[W]
142
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
83
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
10.0x6.6 (t=2.3)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- 100% Avalanche-getestet
- AEC-Q101-qualifiziert
