RH7G04CBJFRA
P-Kanal -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
RH7G04CBJFRA
P-Kanal -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
Der RH7G04CBJFRA ist ein Automotive MOSFET und AEC-Q101-qualifiziert. Er ist ideal für ADAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserieanwendungen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN3333T8LSAB
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-40
Drain Current ID[A]
-40
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0177
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0138
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.0177
Total gate charge Qg[nC]
16.6
Power Dissipation (PD)[W]
62
Drive Voltage[V]
-4.5
trr (Typ.)[ns]
31
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=1.1)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Benetzbare Flanken
- AEC-Q101-qualifiziert
- 100% Avalanche getestet
