R6507KND3 (Neues Produkt)
Nch 650V 7A Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschalter

Die R6xxxKNx-Serie sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte. Es handelt sich um Super Junction MOSFETs, bei denen ein hoher Wirkungsgrad im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen einen höheren Wirkungsgrad durch schnelles Schalten. Durch das schnelle Schalten kann ein Beitrag zu einem höheren Wirkungsgrad in PFC- und LLC-Schaltungen geleistet werden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R6507KND3TL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-252 (DPAK)

Package Size [mm]

6.6x9.9 (t=2.4)

JEITA Package

SC-63

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

650

Drain Current ID[A]

7.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.605

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.605

Total gate charge Qg[nC]

14.5

Power Dissipation (PD)[W]

78.0

Drive Voltage[V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

320

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Ultra fast switching speed
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
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