Super Junction MOSFET PrestoMOS™ (Hochgeschwindigkeits-Trr) Serie

ROHMs PrestoMOS™ Serie von Leistungs-MOSFETs zeichnet sich durch die branchenweit schnellste Reverse-Recovery-Charakteristik zur Erzielung eines geringeren Stromverbrauchs aus. Die Nutzung proprietärer Lebensdauer-Kontrolltechnologie führt zu ultraschnellem trr. Das Ergebnis ist eine um ca. 58% geringere Verlustleistung bei geringer Last im Vergleich zu IGBTs. Darüber hinaus verhindert die Anhebung der Referenzspannung, die zum Einschalten des MOSFET erforderlich ist, das selbstständige Einschalten, das eine der Hauptverlustursachen ist. Und durch die Optimierung der Eigenschaften der eingebauten Diode konnte ROHM den für Super-Junction-MOSFETs spezifischen Soft-Recovery-Index verbessern, um das Rauschen zu reduzieren, das zu Fehlfunktionen führen kann. Die Beseitigung dieser Hindernisse bei der Schaltungsoptimierung bietet Kunden eine größere Designflexibilität.