10 V Antriebs-Nch-MOSFET - R6024ENJ

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | R6024ENJTL
Status | Empfohlen
Gehäuse | LPTS (D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-263 (D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Package Size[mm]

10.1x13.1 (t=4.5)

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

24.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.15

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.15

Total gate charge Qg[nC]

70.0

Power Dissipation (PD)[W]

40.0

Drive Voltage[V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

625

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K7402

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V
  • Drive circuits can be simple
  • Parallel use is easy
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant