R6024ENJ
10 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R6024ENJTL
Status | Aktiv
Gehäuse | LPTS (D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-263 (D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

24

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.15

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.15

Total gate charge Qg[nC]

70

Power Dissipation (PD)[W]

40

Drive Voltage[V]

10

Trr (Typ.)[ns]

625

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K7402

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V
  • Drive circuits can be simple
  • Parallel use is easy
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant