R6511ENJ
650V 11A TO-263 Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen

Der R6511ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R6511ENJTL
Status | Aktiv
Gehäuse | LPTS (D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-263 (D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

650

Drain Current ID[A]

11

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.36

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.36

Total gate charge Qg[nC]

32

Power Dissipation (PD)[W]

124

Drive Voltage[V]

10

Trr (Typ.)[ns]

430

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K7453

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant