R8002KND3
Nch 800 V 1,6 A Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschalter

Die R8xxxKNx-Serie sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte. Es handelt sich um Super Junction MOSFETs, bei denen ein hoher Wirkungsgrad im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen einen höheren Wirkungsgrad durch schnelles Schalten. Durch das schnelle Schalten kann ein Beitrag zu einem höheren Wirkungsgrad in PFC- und LLC-Schaltungen geleistet werden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R8002KND3TL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-252 (DPAK)

Package Size [mm]

6.6x10.0 (t=2.4)

JEITA Package

SC-63

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

800

Drain Current ID[A]

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

3.5

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

3.5

Total gate charge Qg[nC]

7.5

Power Dissipation (PD)[W]

30.0

Drive Voltage[V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

180

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K8107

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant