ROHM Product Detail

HP8JB5 (Neues Produkt)
-40V 18A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Leistungs-MOSFET

Der HP8JB5 ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | HP8JB5TB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSOP8 (Symmetry Dual)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSOP8

Number of terminal

8

Polarity

Pch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-40

Drain Current ID[A]

18

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.042

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.034

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.042

Total gate charge Qg[nC]

9

Power Dissipation (PD)[W]

21

Drive Voltage[V]

-4.5

trr (Typ.)[ns]

26

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.0x4.9 (t=1.1)

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Eigenschaften:

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
  • Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
  • Halogenfrei
  • 100% Rg- und UIS-getestet
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