ROHM Product Detail

HP8KB6
40V 24A, dualer N-Kanal, HSOP8, Leistungs-MOSFET

Der HP8KB6 ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, ideal für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | HP8KB6TB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSOP8 (Symmetry Dual)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSOP8

Number of terminal

8

Polarity

N+N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

40

Drain Current ID[A]

24

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0178

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0121

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0178

Total gate charge Qg[nC]

5

Power Dissipation (PD)[W]

21

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.0x4.9 (t=1.1)

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Eigenschaften:

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (HSOP8)
  • Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
  • Halogenfrei
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