ROHM Product Detail

HP8KE6
100V 17A, Dual N-Kanal, HSOP8, Power-MOSFET

HP8KE6 ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, ideal für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | HP8KE6TB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSOP8 (Symmetry Dual)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSOP8

Number of terminal

8

Polarity

N+N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

17

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.053

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.041

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.053

Total gate charge Qg[nC]

3.7

Power Dissipation (PD)[W]

21

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.0x4.9 (t=1.1)

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Eigenschaften:

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (HSOP8)
  • Pb-freie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
  • Halogenfrei

Produktvideo & Katalog

 
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