HT8KC6
60 V, 15 A, Dual-N-Kanal, HSMT8, Power MOSFET
HT8KC6
60 V, 15 A, Dual-N-Kanal, HSMT8, Power MOSFET
Der HT8KC6 ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, ideal für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
15
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.031
Total gate charge Qg[nC]
3.9
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleine Leistungsform (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
