HT8KF6H
150V 7.0A, Dual-N-Kanal, HSMT8, Power-MOSFET
HT8KF6H
150V 7.0A, Dual-N-Kanal, HSMT8, Power-MOSFET
HT8KF6H ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem kleinen Hochleistungs-Gehäuse, der sich für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
150
Drain Current ID[A]
7
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.176
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.165
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.176
Total gate charge Qg[nC]
4.2
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
52
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungs-Spritzgussgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
