QH8KE5
100V 2.0A, Dual N-Kanal, TSMT8, Leistungs-MOSFET
QH8KE5
100V 2.0A, Dual N-Kanal, TSMT8, Leistungs-MOSFET
Der Leistungs-MOSFET QH8KE5 eignet sich für Schaltnetzteile und Motorantriebe.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
2
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.21
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.155
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.21
Total gate charge Qg[nC]
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
28
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
