ROHM Product Detail

RD3H200SN
Nch 45V 20A Leistungs-MOSFET

Der RD3H200SN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlassiwderstand für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RD3H200SNTL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja
Product Longevity Program | 9 Years

Spezifikationen:

Package Code

TO-252 (DPAK)

JEITA Package

SC-63

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

45

Drain Current ID[A]

20

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.028

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.025

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.02

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.028

Total gate charge Qg[nC]

12

Power Dissipation (PD)[W]

20

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.6x10.0 (t=2.4)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance.
  • Fast switching speed.
  • Drive circuits can be simple.
  • Parallel use is easy.
  • Pb-free plating ; RoHS compliant

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