RD3L07BBG
Leistungs-MOSFET, Nch 60V 115A, TO-252

RD3L07BBG ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Einschaltwiderstand, geeignet zum Schalten.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RD3L07BBGTL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-252 (DPAK)

JEITA Package

SC-63

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

115

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0041

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.003

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0041

Total gate charge Qg[nC]

23

Power Dissipation (PD)[W]

102

Drive Voltage[V]

4.5

Trr (Typ.)[ns]

49

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

6.6x10.0 (t=2.4)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
  • Halogen free
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