RF4E110BN
4,5-V-Ansteuerung N-Kanal-MOSFET
RF4E110BN
4,5-V-Ansteuerung N-Kanal-MOSFET
Leistungs-MOSFETs werden mit Hilfe von Mikroprozessortechnologien als Bauelemente mit geringem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Ein breites Sortiment an kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen erfüllt die verschiedensten Marktanforderungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
11
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0118
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0085
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0118
Total gate charge Qg[nC]
12
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4020
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
Eigenschaften:
・ Niedriger Einschaltwiderstand.
・ Kleines Hochleistungs-Spritzgussgehäuse (HUML2020L8)
・ Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
・ Halogenfrei
Produktvideo & Katalog
