RH6G040BG
Leistungs-MOSFET mit Nch 40V 95A, HSMT8
RH6G040BG
RH6G040BG
Leistungs-MOSFET mit Nch 40V 95A, HSMT8
RH6G040BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
95
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0047
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0047
Total gate charge Qg[nC]
12.5
Power Dissipation (PD)[W]
59
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.75)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High Power small mold Package(HSMT8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen Free
