RJ1L04BBG
N-Kanal 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
RJ1L04BBG
N-Kanal 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
Der RJ1L04BBG ist ein Power MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem leistungsstarken Gehäuse, der sich für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
100
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0046
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0046
Total gate charge Qg[nC]
23
Power Dissipation (PD)[W]
89
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
49
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Leistungsstarkes Gehäuse (TO263AB)
- Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
