RJ1L10BBG
N-Kanal 60 V 240 A, TO-263AB, Leistungs-MOSFET
RJ1L10BBG
N-Kanal 60 V 240 A, TO-263AB, Leistungs-MOSFET
Der RJ1L10BBG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Leistungsverpackung, geeignet für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263AB
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
240
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.00172
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.00142
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00172
Total gate charge Qg[nC]
80
Power Dissipation (PD)[W]
192
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
85
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Leistungsstarkes Gehäuse (TO263AB)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
