Nch 60V 120A Leistungs-MOSFET - RJ1L12DGN

RJ1L12DGN ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RJ1L12DGNTLL
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-263AB (LPTL)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-263AB

Package Size[mm]

10.1x15.1 (t=4.7)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

120.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0051

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0039

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0051

Total gate charge Qg[nC]

47.0

Power Dissipation (PD)[W]

125.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4823

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High power small mold package
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
  • UIS tested
  • Halogen free