RJ1N04BBH
N-Kanal 80V 100A, TO-263AB, Leistungs-MOSFET
RJ1N04BBH
N-Kanal 80V 100A, TO-263AB, Leistungs-MOSFET
Der RJ1N04BBH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen, Motorsteuerungen und DC/DC-Wandler.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263AB
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
80
Drain Current ID[A]
100
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0053
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0044
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0053
Total gate charge Qg[nC]
28
Power Dissipation (PD)[W]
89
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
53
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Hochleistungsgehäuse (TO263AB)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
