RQ6E055BN
Nch-Leistungs-MOSFET 30 V 5,5 A

RQ6E055BN ist ein kleines Anbaugehäuse MOSFET für die Schaltfunktion.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ6E055BNTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-457T

Package Size [mm]

2.9x2.8 (t=1)

JEITA Package

SC-95

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

6

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

5.5

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.03

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.03

Total gate charge Qg[nC]

4.4

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4009

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance.
  • Built-in G-S Protection Diode.
  • Small Surface Mount Package(TSMT6).
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant.