ROHM Product Detail

RS1E280GN
4.5V-Ansteuerung, N-Kanal-MOSFET

Leistungs-MOSFETs werden mit Mikroprozessortechnologien als Bauelemente mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um verschiedenen Marktanforderungen gerecht zu werden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RS1E280GNTB
Status | Aktiv
Gehäuse | HSOP8 (Single,TB)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSOP8

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

80

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0026

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.002

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0026

Total gate charge Qg[nC]

17.1

Power Dissipation (PD)[W]

31

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4508

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.0x5.0 (t=1.1)

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Eigenschaften:

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Hochleistungspaket (HSOP8)
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