RS6G120BH
N-Kanal 40V 210A, HSOP8, Leistungs-MOSFET
RS6G120BH
N-Kanal 40V 210A, HSOP8, Leistungs-MOSFET
Der RS6G120BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchgangswiderstand und einem leistungsstarken Kleingehäuse (HSOP8), geeignet für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC-DC-Wandler.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
210
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.00154
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.00106
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00154
Total gate charge Qg[nC]
40
Power Dissipation (PD)[W]
104
Drive Voltage[V]
6
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
