ROHM Product Detail

RS6P100BH
Leistungs-MOSFET mit Nch 100V 100A, HSOP8

RS6P100BH ist ein zum Schalten geeigneter Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RS6P100BHTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSOP8 (Single,TB1)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSOP8

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

100

RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)

0.0058

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0045

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0058

Total gate charge Qg[nC]

29

Power Dissipation (PD)[W]

104

Drive Voltage[V]

6

Trr (Typ)[ns]

63

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.0x4.9 (t=1.1)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High power package(HSOP8)
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
  • Halogen free
  • 100% Rg and UIS tested

Produktvideo & Katalog

 
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