ROHM Product Detail

RU1J002YN
0,9V-Treiber N-Kanal-MOSFET

MOSFETs werden mit Mikro-Verarbeitungstechnologien für einen geringen Stromverbrauch hergestellt, die für mobile Geräte geeignet sind und einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand aufweisen. Sie sind in einer breiten Produktpalette erhältlich, die kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Typen umfasst, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RU1J002YNTCL
Status | Empfohlen
Gehäuse | UMT3F
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-323FL

JEITA Package

SC-85

Number of terminal

3

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

50

Drain Current ID[A]

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ)

3

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)

2.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)

2

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

3

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

0.9

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.1x2.0 (t=1.05)

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Eigenschaften:

· Niederspannungsantrieb (0,9 V)
· N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines Oberflächenmontagegehäuse
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