RXH100N03
4V-Drive-N-Kanal-MOSFET
RXH100N03
4V-Drive-N-Kanal-MOSFET
MOSFETs werden als extrem niedrige Einschaltwiderstände durch Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind. In einem breiten Sortiment, das kompakte, leistungsstarke und komplexe Typen umfasst, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.013
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0095
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.013
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
