ROHM Product Detail

RD3L03BAT
Pch -60 V -35 A Leistungs-MOSFET

Der RD3L03BAT ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RD3L03BATTL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-252 (DPAK)

JEITA Package

SC-63

Number of terminal

3

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-60

Drain Current ID[A]

-35

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.036

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.032

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.036

Total gate charge Qg[nC]

18.5

Power Dissipation (PD)[W]

56

Drive Voltage[V]

-4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.6x10.0 (t=2.4)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • Fast switching speed
  • Drive circuits can be simple
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
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