ROHM Product Detail

RD3L03BAT
P-Kanal -60V -35A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET

Der RD3L03BAT ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RD3L03BATTL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252 (TL1)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-252 (DPAK)

JEITA Package

SC-63

Number of terminal

3

Polarity

P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-60

Drain Current ID[A]

-35

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.036

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.032

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.036

Total gate charge Qg[nC]

18.5

Power Dissipation (PD)[W]

56

Drive Voltage[V]

-4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

9.9x6.6 (t=2.4)

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Eigenschaften:

  • Geringer Einschaltwiderstand
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Treiberschaltungen können einfach sein
  • Parallele Nutzung ist einfach
  • Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
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