RE1C002ZP
1,2-V-P-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung
RE1C002ZP
1,2-V-P-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung
MOSFETs werden mit Mikroprozessortechnologien hergestellt, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand zu erzielen. In einem breiten Sortiment, das kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Typen umfasst, um die Anforderungen des Marktes zu erfüllen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-416FL
JEITA Package
SC-89
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-20
Drain Current ID[A]
-0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
2.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
-1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.85)
Eigenschaften:
· Niederspannungsansteuerung (1,2 V)· Kleinsignal-MOSFET mit P-Kanal
· Kleines SMD-Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
