Für neue Designs nicht empfohlen RP1H065SP
4V Drive Pch MOSFET

Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).

Produktdetails

 
Teilenummer | RP1H065SPTR
Gehäuse | MPT6
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Number of terminal

6

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-45

Drain Current ID[A]

-6.5

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.033

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.03

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.022

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.033

Total gate charge Qg[nC]

28

Power Dissipation (PD)[W]

2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.5x4 (t=1.15)

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Eigenschaften:

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· P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
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