Pch -40 V -35 A, HSMT8, Leistungs-MOSFET - RQ3G110AT (Neues Produkt)

Der RQ3G110AT ist ein Leistungs-MOSFET für Lastschaltanwendungen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RQ3G110ATTB
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Package Size[mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

Number of terminal

8

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-40

Drain Current ID[A]

-35.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0123

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0098

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0123

Total gate charge Qg[nC]

46.0

Power Dissipation (PD)[W]

20.0

Drive Voltage[V]

-4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High Power small mold Package (HSMT8)
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
  • Halogen Free