RQ3G110AT
Pch -40 V -35 A, HSMT8, Leistungs-MOSFET
RQ3G110AT
RQ3G110AT
Pch -40 V -35 A, HSMT8, Leistungs-MOSFET
Der RQ3G110AT ist ein Leistungs-MOSFET für Lastschaltanwendungen.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-40
Drain Current ID[A]
-35
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0123
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0098
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0123
Total gate charge Qg[nC]
46
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.8)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High Power small mold Package (HSMT8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen Free
