RQ3N040AT
P-Kanal -80 V -10 A, HSMT8, Power MOSFET
RQ3N040AT
P-Kanal -80 V -10 A, HSMT8, Power MOSFET
Der RQ3N040AT ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchgangswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der für Schalt- und Motorantriebe geeignet ist.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-80
Drain Current ID[A]
-10
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.112
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.097
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.112
Total gate charge Qg[nC]
14
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
-6
trr (Typ.)[ns]
31
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchgangswiderstand
- Leistungsstarkes Kleinstformgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- Halogenfrei
