RQ3P045AT
P-Kanal -100 V -14,5 A Leistungs-MOSFET
RQ3P045AT
P-Kanal -100 V -14,5 A Leistungs-MOSFET
Der RQ3P045AT ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der für Schalt- und Lastschalter geeignet ist.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-100
Drain Current ID[A]
14.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.071
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.067
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.071
Total gate charge Qg[nC]
25
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
37
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungs-Spritzgusspaket (HSMT8)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
