RQ6E030SP
Pch -30V -3A Kleinsignal-MOSFET

Die RQ6E030SP ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und eingebauter G-S-Schutzdiode für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RQ6E030SPTR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Number of terminal

6

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-3

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.1

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.09

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.06

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.1

Total gate charge Qg[nC]

6

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

-4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

2.9x2.8 (t=1)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance.
  • Built-in G-S Protection Diode.
  • Small Surface Mount Package(TSMT6).
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
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