ROHM Product Detail

RQ6E060AT
P-Kanal -30V -6A Mittelleistungs-MOSFET

Der RQ6E060AT ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand für Schaltanwendungen und als Lastschalter.

Data Sheet Kaufen *
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.

Produktdetails

 
Teilenummer | RQ6E060ATTCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT6
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Applications

Switching

Number of terminal

6

Polarity

P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-6

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0268

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0203

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0268

Total gate charge Qg[nC]

12.9

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

-4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.8x2.9 (t=1.0)

Find Similar

Eigenschaften:

  • Geringer Einschaltwiderstand.
  • Kleines Hochleistungsgehäuse (TSMT6)
  • Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
  • Halogenfrei.
  • 100% Rg- und UIS-getestet.
X

Most Viewed