RQ7E070RP (Neues Produkt)
P-Kanal –30 V –7 A, TSMT8, Power-MOSFET
RQ7E070RP (Neues Produkt)
P-Kanal –30 V –7 A, TSMT8, Power-MOSFET
Der RQ7E070RP ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand in einem kompakten Oberflächenmontagepaket (TSMT8), geeignet für Schalt- und Motorantriebsanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-7
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.017
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.019
Total gate charge Qg[nC]
26
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform.
- Halogenfrei
- Integrierte G-S Schutzdiode
