ROHM Product Detail

RS1P090AT
P-Kanal -100 V -33 A Power MOSFET

RS1P090AT ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RS1P090ATTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSOP8 (Single,TB1)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSOP8

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-100

Drain Current ID[A]

-33

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.028

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.026

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.028

Total gate charge Qg[nC]

62

Power Dissipation (PD)[W]

40

Drive Voltage[V]

4.5

trr (Typ.)[ns]

43

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.0x4.9 (t=1.1)

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Eigenschaften:

  • Geringer Einschaltwiderstand
  • Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (HSOP8)
  • Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
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