ROHM Product Detail

RU1E002SP
4V-Treiber P-Kanal MOSFET

MOSFETs werden mit ultra-niedrigem Einschaltwiderstand durch Mikroprozessortechnologien hergestellt, die sich für mobile Geräte mit niedrigem Stromverbrauch eignen. Mit einer breiten Produktpalette, einschließlich kompakter Bauart, Hochleistungstyp und komplexem Typ, um den Marktanforderungen gerecht zu werden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RU1E002SPTCL
Status | Empfohlen
Gehäuse | UMT3F
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-323FL

JEITA Package

SC-85

Number of terminal

3

Polarity

P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-0.25

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

1.4

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.9

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

0.2

Drive Voltage[V]

-4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.1x2.0 (t=1.05)

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Eigenschaften:

· 4V-Treibertyp
· P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
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